Транзистор BFG541.115

Категория продукта: РЧ биполярные транзисторы

RoHS: Подробности

Тип транзистора: Bipolar

Технология: Si

Полярность транзистора: NPN

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:15 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO):2.5 V

Непрерывный коллекторный ток:0.12 A

Минимальная рабочая температура: - 65 C

Максимальная рабочая температура: + 150 C

Конфигурация: Single

Вид монтажа: SMD/SMT

Упаковка / блок: SOT-223

Упаковка: Cut Tape

Упаковка: MouseReel

Упаковка: Reel

Напряжение коллектор-база (VCBO):20 V

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.:60

Высота:1.7 mm

Длина:6.7 mm

Рабочая частота:9000 MHz

Тип: RF Bipolar Small Signal

Ширина:3.7 mm

Торговая марка: NXP Semiconductors

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT):9000 MHz

Максимальный постоянный ток коллектора:0.12 A

Pd - рассеивание мощности:650 mW

Тип продукта: RF Bipolar Transistors

Размер фабричной упаковки:1000

Подкатегория: Transistors

Другие названия товара №:934018870115

Вес изделия:100 mg