МОП-транзистор FQU13N06LTU

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура        150 C

Количество Выводов           3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора           TO-251AA

Рассеиваемая Мощность     28Вт

Полярность Транзистора     N Канал

Напряжение Истока-стока Vds      60В

Непрерывный Ток Стока     11А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)      0.092Ом

Напряжение Измерения Rds(on)    10В

Пороговое Напряжение Vgs           2.5В

Максимальная рабочая температура         +150 °C

Максимальный непрерывный ток стока   11 A

Тип корпуса  IPAK (TO-251)

Максимальное рассеяние мощности         2,5 Вт

Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия

Ширина         2.3мм

Высота           6.1мм

Размеры         6.6 x 2.3 x 6.1мм

Материал транзистора         Кремний

Количество элементов на ИС         1

Длина 6.6

Transistor Configuration        Одинарный

Типичное время задержки включения      8 нс

Типичное время задержки выключения   20 ns

Серия QFET

Минимальная рабочая температура          -55 °C

Minimum Gate Threshold Voltage    1V

Максимальное сопротивление сток-исток           115 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток     60 В

Типичный заряд затвора при Vgs   4.8 nC @ 5 V

Номер канала            Поднятие

Типичная входная емкость при Vds          270 pF@ 25 V

Тип канала    N

Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В

Вес, г  0.343

* Изображения служат только для ознакомления,см. техническую документацию